Semiconductor/Application (1) 썸네일형 리스트형 ROHM Application note study 1. SiC 반도체1.1 SiC 재료의 물성 및 특징1.2 파워 디바이스로서의 특징더보기2. SiC SBD 특징2.1 디바이스 구조 및 특징2.2 SiC SBD의 순방향 특성2.3 SiC SBD 리커버리 특성2.4 SiC SBD의 순방향 서지 특성2.5 직렬 병렬 사용 시 주의 사항2.5.1 직렬 접속2.5.2 병렬 접속3. SiC MOSFET 특징3.1 디바이스 구조와 특징3.2 규격화 ON 저항3.3 VDS-ID 특성3.4 구동 게이트 전압과 ON 저항3.5 ON 저항의 온도 계수3.6 VGS-ID 특성3.7 Turn on 특성3.8 Turn off 특성3.9 내부 게이트 저항3.10 바디 다이오드의 리커버리 특성3.11 BV 온도 의존성3.12 플라이백용 1700V SiC MOSFET3.13 제 3.. 이전 1 다음
